DDR4 / DDR5 実メモリレイテンシ (ns) 計算機＆スペック比較

実効メモリレイテンシは次の計算式で求められます：実レイテンシ (ns) = (CASレイテンシ / 転送レート MT/s) × 2000。DDR（Double Data Rate）メモリは1クロックで2回転送するため、MT/sを2で割ることで物理クロック周波数（MHz）が得られます。

DDR5はCASレイテンシのサイクル数（DDR4のCL16に対しDDR5のCL30など）が増加していますが、動作クロック周波数が大幅に向上しているため、1サイクルあたりの所要時間は短くなっています。そのため、DDR5-6000 CL30とDDR4-3200 CL16はどちらも初動アクセスレイテンシが10.00 nsで同等であり、DDR5は2倍の転送帯域幅を提供します。

AMD Socket AM5プロセッサにとって最も安定して高速な「スイートスポット」はDDR5-6000 CL30です。6000 MT/sではメモリコントローラー（UCLK）がメモリクロック（MCLK）と1:1の完全同期で動作し、最も低いレイテンシと高いフレームレート安定性を実現します。

Socket AM5環境で6000〜6200 MT/sを超えると、マザーボードが自動的にUCLKを1:2の分周モード（UCLK = 1/2 MCLK）へ切り替えます。これにより+10〜12 nsのシステム遅延ペナルティが発生し、DDR5-7600以上の極めて高いクロックでないと性能が相殺できません。

Intel製CPUはGear 2モードで動作する高効率なメモリコントローラーを搭載しており、帯域幅の広さを効率よく活用できます。高FPSゲーミングや動画編集向けにはDDR5-6400 CL32からDDR5-7200 CL34が推奨されます。

最大FPSは主にGPUの性能に依存しますが、スタッター（微小なカクつき）に影響する1% Lowおよび0.1% Lowのフレームタイムはメモリレイテンシに大きく左右されます。低レイテンシメモリはCPUの待機時間を削減し、Apex、CS2、Valorantなどの対戦型ゲームで滑らかな描画を保ちます。

シングルランクは基板の片面にメモリチップを配置し、デュアルランクは両面に配置して2つの64ビットランクとして機能します。デュアルランクはランクインターリーブによりCPUゲーム性能を3〜5%向上させることができます。

tCLはCASレイテンシ、tRCDは行を開く遅延、tRPは行を閉じる時間、tRASは最小有効時間です。tRP + tRASの合計で行サイクル時間（tRC）が決まります。またtRFC（Row Refresh Cycle）はメモリのリフレッシュ時間を指し、ゲームの1% Low改善に最も大きな影響を与えるサブタイミングです。

DDR5メモリは互換性確保のため、初期状態では業界標準規格JEDEC（通常4800 MT/s CL40）で起動します。パッケージ表記通りの速度で動作させるには、マザーボードのBIOS（UEFI）に入り「AMD EXPO」または「Intel XMP」プロファイルを有効にする必要があります。

デュアルチャネル接続はメモリバス幅を64ビットから128ビット（DDR5では32ビット×4サブチャネル）に倍増させます。CPU負荷の高いゲームにおいて、シングルチャネル構成はデュアルチャネルに比べてフレームレートが20〜40%低下する場合があります。

Samsung B-Dieは高電圧下で非常にタイトなタイミングに詰められる伝説的なDRAMシリコンICです。DDR4-3600 CL14は驚異の7.78 nsという実効レイテンシを達成し、初動応答速度において安価なDDR5メモリを凌駕します。

Thermalright Peerless Assassin 120やNoctua NH-D15などの大型2灯空冷クーラーは、標準で32〜35mm程度のメモリクリアランスしかありません。高さのあるRGBメモリ（44〜56mm）を搭載するとフロントファンを上方向にずらす必要があり、PCケースのサイドガラスパネルが閉まらなくなるリスクがあります。